三菱电机推出新款1200V SiC-MOSFET 功耗低/减小车载充电器尺寸
2020-6-19 来源：- 作者：-
三菱电机新款SiC-MOSFET问世。
据外媒报道，近日，日本三菱电机公司（Mitsubishi Electric Corporation）宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该产品功率损耗低且自接通耐受性高，还可以帮助降低功耗，实现电动汽车（EV）车载充电器、光伏电力系统等供电系统（需要转换高压）的小型化，产品样品将于今年7月开始发货。
（图片来源：三菱电机）
三菱电机还将在大型贸易展会上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET，包括将于11月16日至18日在中国上海举办的2020 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会）上进行展示。
产品特点：
1、 降低功耗，实现供电系统的小型化
A、结型场效应晶体管（JFET）掺杂技术既降低了1200V SiC-MOSFET的开关损耗和导通电阻，还让其达到行业领先的品质因数（FOM）——1,450mΩ·nC。与采用传统的硅绝缘栅门极晶体管（Si-IGBT）相比，用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。
B、通过降低镜面电容（在MOSFET结构中，栅极和漏极之间存在的杂散电容），与竞争对手的产品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可实现快速的开关操作，降低开关损耗。
C、由于降低了开关功率损耗，通过驱动具有更高载频的功率半导体，得以实现冷却系统及周边部件（如反应器）的小型化和简单化，从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。
2、 有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101规格的型号，适用于各种应用
A、N系列1200V SiC-MOSFET产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号，因此，该产品不仅适用于光伏系统等工业应用，也可用于电动汽车车载充电器。
投稿箱：
如果您有机床行业、企业相关新闻稿件发表，或进行资讯合作，欢迎联系本网编辑部， 邮箱：skjcsc@vip.sina.com
如果您有机床行业、企业相关新闻稿件发表，或进行资讯合作，欢迎联系本网编辑部， 邮箱：skjcsc@vip.sina.com
更多相关信息
- target=_blank>汽车业面临生死大考 新市场格局加速形成
- target=_blank> 成都天马铁路轴承加速投资 主攻轨道交通轴承产业
- target=_blank>万向钱潮技术中心成功开发出双冗余EPB
- target=_blank> 上海船用柴油机研究所助力国内首艘油气电混合动力内河船舶开始新征程
- target=_blank>武船集团再获3艘13000吨甲板运输船订单
新闻资讯
| 更多
- target=_blank>Creaform 形创推出全新升级版光学三坐标三维扫描仪和探测组合套件
- target=_blank>五轴超精密加工机床底座设计技术研究
- target=_blank>基于精雕系统的七级叶轮加工技术实践
- target=_blank> 以柔性制造加固核心壁垒—访西派集团有限公司董事长梁桂华先生
- target=_blank>HELI系列的新发展
- target=_blank>坚定投资中国 助推高质量发展——访埃斯维机床（苏州）有限公司总经理 Norbert Wiest 先生
- target=_blank> 最是步稳能致远—访台湾雷威精密机械有限公司总经理熊健男先生
- target=_blank>直击CES 2024：西门子瞄准沉浸式工程和人工智能，驱动工业元宇宙创新
- target=_blank>汽车轮毂加工方法与工艺分析
- target=_blank>超细刀具的齿槽加工方法
