中国首次实现碳化硅大功率器件量产 破西方垄断
2014-1-28 来源： 作者：
中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出，这一突破有望缓解中国的能源危机。
泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会20日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产工艺方法、产品性能达到了国际同类产品的先进水平。
据悉，经过两年攻关，泰科天润研发的碳化硅肖特基二极管多个产品已成功量产，产品涵盖600V—3300V等中高压范围。其中，600V/10A、1200V/20A等产品成品率达到国际先进水平。
总经理陈彤介绍，利用碳化硅单晶衬底和外延材料制作的电力电子器件可以在高电压、大电流、高频率环境下工作，“与传统的硅器件相比，碳化硅电力芯片能够大幅度减少电力设备体积和重量，能大幅降低各项设备系统的整体成本并提高系统的可靠性”。
数据表明，属于“宽禁带”的第三代半导体的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同时，提高系统其他部件的功效，可节能20%至90%。
中国电器工业协会电力电子分会常务副理事长肖向锋指出，这一成果对于煤炭、石油等资源越发紧缺的中国具有现实意义。
“为应对能源危机，国家提出节能减排，电能的输送、分配都离不开电力电子技术”，肖向锋解释说，现有的电子技术基于半导体硅材料器件，但受制于硅材料的物理性能，器件功耗大。碳化硅器件的研发、生产无疑可解“燃眉之急”。
“我国功率器件产业整体落后美、欧、日等发达国家，关键技术装备基本依赖国外”，陈彤在受访时说，但在第三代半导体器件方面，国内研究机构和企业已有赶超之势。
他认为这得益于政府导向，国家863计划新材料技术领域以及科技支撑计划能源领域在2014年度备选项目征集指南中指明，要开展第三代半导体材料的关键技术、器件制备及研制电力电子芯片和器件等科研计划。他们的“碳化硅电力电子器件产业化投资项目”也已被北京市海淀区向市科委推荐，申报“重大科技成果转化落地培育”专项资金。
肖向锋亦提出三点要求，“提高自己团队的技术水平，提高研发能力，健全生产线”。他希望以此为契机，将预计达千亿元规模的中国碳化硅器件产业做起来。
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