美国RFMD和空军签订碳化硅基氮化镓器件生产合
2014-4-1 来源： 作者：
[据电子周刊网站2014年3月25日报道] 美国RFMD公司表示，其与美国空军研究实验室（AFRL）研发的6英寸碳化硅基氮化镓单片集成电路（MMIC）技术将会对包括蜂窝基础设施在内的商业应用产生影响，该技术是RFMD公司与AFRL签订的价值970万美元合同的一部分。
RFMD公司将把AFRL研究出的技术转移到该公司的6寸晶圆碳化硅基氮化镓生产线上，并制造出0.14微米100GHz氮化镓MMIC。
RFMD公司功率分部总经理高登库克说：“通过空军的这个合同，我们有机会建立行业首个6寸毫米波碳化硅基氮化镓技术，使得RFMD公司的技术能够超过100GHz。我们希望这个新的技术可同时为国防和商业应用带来新的便宜的功率MMIC，如军用领域的雷达和军事通信，商用领域的有线电视网络、微波回程和移动通信技术设施等。”库克表示，通过AFRL的经验，RFMD将通过其在美国的开放性代工厂提供0.14微米氮化镓功率器件量产能力。
GaN技术可在较小面积内提供宽频带和高击穿电压。RFMD公司的6寸氮化镓晶圆的有效面积是现在所用4寸氮化镓晶圆面积的2.5倍，每个晶圆所产生的射频功率器件数也增加2.5倍。毫米波氮化镓器件是在直流到超过100GHz频率范围应用中功率增益、带宽和效率等性能参数的最佳折衷。（工业和信息化部电子科学技术情报研）
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