美国半导体研发联盟和加州大学研发更先进的三维芯片集成方法
2014-5-15 来源： 作者：
[据美国半导体研究联盟网站2014年5月7日报道] 美国加州大学伯克利分校受半导体研究联盟资助，将发展三维器件集成新方法，有望促进移动器件和可穿戴电子技术以更小的体积实现更多的功能。半导体研究联盟是世界领先的半导体及相关技术大学研究联盟。
研究集中在利用半导体墨水打印方法在一片垂直集成的三维芯片上集成额外的多层晶体管，与之相比，目前的芯片堆叠方法则通过三维互联方法。
新的工艺技术能够帮助半导体制造商发展更小、更多样化的元件，而这样做能够通过添加处理、存储、传感和显示等额外功能降低费用，增强性能，提高效费比。这种低温工艺和聚合物衬底兼容，在可穿戴电子技术和封装方面具有潜力。
目前三维集成方面的研究采用迁移薄层单晶半导体层、化学气相淀积多晶硅或者其他生长技术实现器件集成。
加大伯克利分校电子工程和计算机科学学院教授Vivek Subramanian表示：“同这些方法相比，我们相信我们的方法更简单，并具有相当低的成本。我们的目标是性能最大化，并相对于其他方法能获得更好的效费比。”
具体而言，加大伯克利分校正在开发的直接打印式透明氧化物晶体管方法有望在CMOS金属涂层上实现额外的有源器件。
为了制造这些器件，需要淀积半导体、电介质和导体的新型材料和工艺方法。由于该方法同CMOS金属涂层低温兼容，同时具有更低的制造成本，该研究的重点主要集中在基于方法的工艺上。
美国半导体研究联盟纳米制造科学部主任Bob Havemann表示：“伯克利研究团队的最初成果显示，能够从处理温度同CMOS之后的金属涂覆兼容的喷墨打印器件获得相当高的性能，而这成为了单片三维集成的新方法。”（工业和信息化部电子科学技术情报研究所）
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