这些半桥和单开关管器件采用Trench PT IGBT技术制造，具有低VCE(ON) 和Eoff，可用于大电流逆变级
 

      宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 1 月19 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布4款专为TIG焊机设计的新型半桥和单开关管IGBT功率模块---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。这四款器件采用Vishay的独家Trench PT IGBT 技术制造，集电极到发射极的电压极低，只有1.10V，关断开关能量低至11mJ，可用于输出逆变级。
 

      今天发布的Vishay Semiconductors器件采用Trench PT IGBT结构，实现了比平面IGBT更小的尺寸，具有更高的电流密度和更低的热阻（结到外壳），在性能上丝毫没有缩水。器件的集电极到发射极的电压较低，能够实现极低的传导损耗，同时其关断开关能量比前一代器件低50%，可提高效率和长期可靠性。
 

v半桥VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S把Trench PT IGBT与HEXFRED®和FRED Pt®防并联二极管组合在一起，采用高度极低的17mm INT-A-PAK封装和双片INT-A-PAK封装。单开关管VS-GP250SA60S采用SOT-227封装，典型杂散电感非常低，还不到5nH，通过UL file E78996的认证。
 

      这些模块符合RoHS，工作频率为1kHz，集电极到发射极电压为600V，集电极连续电流为100A～400A。器件可以直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。

                                                                  器件规格表：

      新IGBT功率模块现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。