瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
瑞萨全新晶圆技术可以帮助MOSFET实现导通电阻降低30%、栅漏电荷减少40%、封装尺寸缩小50%的目标
2025 年 1 月 9 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源（UPS）等多个领域。
瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1）使新产品的导通电阻（MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻）大幅降低30%；更低的导通电阻有助于显著降低客户系统设计中的功率损耗。
REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性（向栅极施加电压所需的电荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平台”阶段需要注入栅极的电荷量）减少40%。
除了优秀的电气特性外，瑞萨的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET还采用行业标准TOLL和TOLG封装，与其它制造商的器件引脚兼容，且封装尺寸比传统TO-263封装小50%。TOLL封装还具备wettable flanks，便于光学检测。
Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年来，瑞萨在MOSFET领域积累了丰富的经验和技术优势，凭借我们强大的制造能力和多个高产能工厂的供货保障，瑞萨致力于为客户提供卓越的产品和服务。”
成功产品组合
瑞萨将全新MOSFET与其产品组合中的众多器件相结合，推出多种“成功产品组合”方案，包括48V电动平台和三合一电动汽车单元（逆变器、车载充电器、DC/DC转换器）等。这些方案基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经验证的系统架构并带来经优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：https://www.renesas.com/win。
供货信息
RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET现已量产。瑞萨还提供带有应用说明的参考设计，以帮助客户缩短设计周期。了解更多信息，请访问：www.renesas.com/MOSFET。
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